研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用自对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采......