双阱相关论文
玻色-爱因斯坦凝聚最初由玻色和爱因斯坦在1924年提出,描述的是在温度趋近于零的时候原子所形成的宏观量子态。在1995年Rb原子中实......
超冷原子体系中要观测增益平衡的宇称-时间(PT)对称,需产生受控的原子布居增益/损耗及相干耦合。本文提出了动态控制原子芯片上双......
为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备......
1924年印度科学家S. N.玻色完成一篇关于光子气体的统计性质的文章,接着在第二年A.爱因斯坦指出在一定临界温度下,无相互作用的原......
研究开发一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，该工艺采用自对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采......
