液相外延相关论文
液相外延是碲镉汞（MCT）薄膜生长领域最成熟的一种方法，被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备......
当今社会,X射线在医疗,工业探伤,以及航空航天等领域都有着重要应用,而探测和分辨X射线则是射线应用的重要一环,所以研制高性能、......
提高光电型窄禁带半导体红外探测器的工作温度是当今红外技术发展的一个重要趋势,Ⅲ-Ⅴ族InAs基半导体材料是制备高工作温度红外探......
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过......
报道了可饱和吸收体Cr4 :YAG的液相外延生长,对双掺杂Cr,Ca:YAG外延层的吸收特性进行了分析.通过对Cr离子掺杂浓度以及外延层厚度......
采用PbO作助溶剂,我们在钛酸锶(STO)衬底上用液相外延方法生长了一层具有特定取向的PZNT岛状外延膜,并通过引入c轴取向的PZT过渡层......
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大......
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料......
极化效应会导致GaN基发光器件的效率降低,因此关于非极性和半极性GaN单晶的研究受到了广泛关注。为了进一步探究不同极性GaN的发光......
近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年.文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探......
分别采用液相外延瞬态法的两种不同模式——步冷法和超冷法生长了GaAs0.9Sb0.1薄膜。采用X射线衍射谱、扫描电镜、拉曼光谱仪研究......
质子轰击条形DH激光器,通常我们采用常规的液相外延方法来制造。一般在n-GaAs衬底材料上生长Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs五层DH结构。n面......
引言砷化镓是重要的半导体材料,最近几年发展很快。为了加速我国电子工业的发展,早日实现四个现代化,对砷化镓的现状进行综合讨论......
利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长......
介绍了在ＧａＡｓ液相外延过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂......
该论文以稀土石榴石为主全面回顾了磁光材料、磁光器件的发展和磁光性能测试方法;针对当前磁光器件宽温、宽带和小型化、集成化的......
扫描近场光学显微镜(SNOM)是一种能探测纳米尺寸的新型显微工具。这种显微镜利用局限在微小孔径上的隐失场提供物体表面形貌的细节......
扫描近场光学显微术(Scanning near-field optical microscopy,简称为SNOM)是一种在近几十年来取得快速发展的新兴技术。它突破了......
液相外延生长REBCO晶体的初始阶段,作为整个生长过程中最特殊的一个阶段，是一个极为复杂的物理化学过程，包括基片/液相间的传质与传......
随着第三代同步辐射源的出现,由荧光屏和CCD耦合组成的、具有亚微米级空间分 辨率、快速在线成像功能的探测器在医疗、安检、工业......
利用Ｘ 射线光电子谱对液相外延ＨｇＣｄＴｅ 薄膜表面氧化特性进行了研究，对经不同工艺过程处理的ＨｇＣｄＴｅ表面进行了测量、分析，结果表明碲镉汞表面经溴......
利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了......
从热力学角度对 L PE中同时存在的 Si氧化与 Si O2 腐蚀的动态平衡过程进行了分析 ,表明在 Si的低温同质液相外延中 ,一般的 L PE......
报道了可饱和吸收体Cr4+∶YAG的液相外延生长 ,对双掺杂Cr ,Ca∶YAG外延层的吸收特性进行了分析。通过对Cr离子掺杂浓度以及外延层......
采用高分辨X射线衍射的方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延材料的X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系.实验观察到了组......
期刊
液相外延是制备HgCdTe薄膜材料的一项成熟技术,大尺寸的外延薄膜是研制HgCdTe红外焦平面列阵的基础。探讨了尺寸为30mm×40mm的HgC......
在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导......
利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了......
用液相外延的方法在 Cd Zn Te衬底上生长 Hg1 - x Cdx Te材料 ,获得了表面形貌好 ,位错密度低 ,组份均匀的碲镉汞外延材料 ,生长工......
讨论了液相外延生长过程中外延层厚度与生长条件的关系。在生长速率决定于溶质扩散的前提下,推导出了外延层厚度的卷积表达式。利......
采用液相外延法在掺Sr^2＋的Q—BBO（001）衬底上制备了β-BBO薄膜，研究了制备条件对薄膜质量的影响．结果表明：当生长温度为810℃时，转速为30......
对用液相外延生长的GaInAsP/GaAs分别限制异质结单量子阱半导体激光器的远场分布特性进行了理论和实验分析。通过对三层平板波导、......
文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密......
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液......
通过碲镉汞液相外延薄膜的典型缺陷的研究，结合国内外的研究现状，综述了各种缺陷的特征、起因、消除方法等。通过对HgCdTe液相外延层......
在分子束外延生长高质量的CdTe／Si复合衬底上，分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe／CdTe／si红外探测器所需的重要红外半导体材......
文章报道了采用液相外延方法，在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况，并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪......
利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品,在100～5 000cm-1光谱范围进......
利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列，通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征，并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明......
对新月形超辐射发光二极管的液相外延生长过程进行了机理分析。利用Matlab软件对建立的非平面生长模型进行了理论计算,并利用扫描......
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ 夜视系统用光源。样品质量达到了设计要求。测量结果表明，样品在１０ Ｋ 下的光荧光谱的峰值波长为９２６ ．２６ ｎｍ 。......
开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究。通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的......
介绍了应用于扫描近场光学显微术（SNOM）传感头的GaAs微探尖与垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的粘合集成方法，并利用扫描电子显微镜对集成......
通过改进推舟液相外延技术,成功地在（211）晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结......
采用液相外延法、脉冲激光沉积法以及气相传输平衡法在Sr^2＋：α-BBO（001）衬底上生长了质量优异的β-BBO薄膜，对薄膜进行了X射线衍射测试......
