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标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现
采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向......
期刊
反向击穿电压
正向导通
PIN-LED
工艺条件
雪崩击穿
标准CMOS工艺
载流子注入
多晶硅材料
材料制备
峰值波长
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