反向击穿电压相关论文
随着半导体分立器件技术的不断发展,中国已经成为世界上分立器件的制造大国。分立器件的测试需求大大增长,对测试机的需求也急剧增......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较......
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果......
本文叙述了合成溶质(固体红磷)扩散法生长磷化镉(CdP_2)。经X射线分析证明,合成的化合物为CdP_2。用它作扩散源,在杂质浓度为8×10......
在半导体集成电路工艺中,很重要的步骤就是有选择性地在半导体中掺入N型或P型杂质。磷扩散就是为了形成高浓度的N~+区,制作双极NP......
提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向......
在进行高温硅功率器件设计时,为保证器件的温度特性,必须正确、恰当地选取硅单晶电阻率,理论分析与实验相结合,可根据硅功率器件额......
设计了一种能减小导通电阻并提高击穿电压的功率MOSFET。分析了击穿电压与外延浓度、耗尽层宽度、电阻率之间的关系。采用计算机仿......
<正> 介绍了合成洗涤剂在半导体清洗工艺中的作用、配方、使用方法以及硅PN结反向击穿电压试验的初步结果。一、前言随着石油化学......
本文以带有隧道穿透的PN结雪崩倍增理论,研究了微波固体噪声二极管。比较了纯PN结雪崩二极管和带有隧道穿透的PN结雪崩二极管的噪......
当平面P-N结反向偏置,特别是反向击穿时,常常出现反向优安特性曲线随时间的蠕变,反向电流大大增加.本文给出了各种结构图形和结构......
介绍工业生产中塑封二极管全自动测试的实现方法.重点介绍高电压和大电流可编程电源的硬件实现,并讨论了小电流的测试方案、软件结......
<正>随着我国科技事业的大力发展,尤其是航空航天、高铁和高压输电等尖端领域,非常需要性能更好的功率器件作为研究和发展的支撑。......
<正>晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近......
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利......
在功率系统中,小的正向开启电压、低反向漏电流、高开关速度和高反向击穿电压是一个良好的整流器件需要具备的条件。对于SiC功率二......
<正> 瞬变电压抑制二极管VD能承受的瞬时脉冲电压峰值可达数千伏,瞬时脉冲电流峰值可达数安培至数百安培,而钳位响应时间仅为10-12......
在研究功率肖特基整流管的基础上,为提高反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力,采用加场限环的方法,设计并制造了10 A/300 V结势垒肖......
为了提高功率肖特基整流管的反向击穿电压、抗浪涌能力,采取加场限环的方法从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠......
<正>五、整流二极管1.什么是整流二极管整流二极管是一种能够将交流电能转变为直流电能的半导体器件,它通常由一个PN极组成,其内部......
<正>1.整流器焊点烧断一辆桑塔纳2000型轿车,发动机起动后,充电指示灯能够熄灭,但加速时充电指示灯微红。开始时怀疑电子调节器有......
<正>夏普21N52-E1彩电的微处理器采用X1194CENl(IC1001),小信号处理电路采用IX0969CENl(IC801)。适用同类机型有:夏普21N52、21N52......
结势垒控制肖特基整流管(Junction—Barrier—controlled Schottky Rectifier缩写JBS)是一种新型的肖特基整流管,它集肖特基整流管......
碳化硅(SiC)半导体材料作为第三代半导体材料具有宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场的“四高”特性,特别适合......
肖特基势垒二极管是利用金属半导体的整流接触特性而制成的二极管。与P-N结相比，它是一种多子器件，具有正向导通电压低，使用频率高等......
