PZT陶瓷相关论文
目前工程应用中主要采用高分子材料对PZT陶瓷堆进行粘结,存在导电性能差、易老化,耐碰撞冲击性能差等缺点。合金焊粉和助焊剂主要......
为了提高PZT陶瓷在大功率器件材料应用的性能,保证良好的发射性能的同时,减小材料在强场条件下的介质损耗,降低器件的温升,该文对......
The postdoctoral report has been divided into two parts. In the first section, the compositional and firing properties o......
采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为Pb(Zr0.7Ti0.3)O3(PZT73)和Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT37)的两种陶瓷的内耗Q－1及振动频率的平方f2（正比于......
掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能.着重对掺La3+、Mn2+对PZT陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的......
应用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式观测未经抛光处理的PZT陶瓷片的电畴结构,用纵向压电响应信号和侧向压电响应信号获得PZT陶瓷......
具有三自由度的微位移器的组成为：掺Sr和Mn的PZT制成的厚度为0．15mm的二个同心圆环，用有机胶水紧密地粘贴在一个铜圆片上，铜片的中央焊......
采用固相烧结法制备了不同组分Pb（ZrxTi1-x）O3（x=0.8、0.7、0.48、0.3、0.2）陶瓷.分别采用TG/DSC分析仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜......
随着集成电路技术的快速发展，许多电子产品，包括应急灯中LED灯珠能耗越来越低，但在能量供给领域，依然采取着传统的供能方式，即利用化学......
介绍新一代超声探头材料以及(PureWave)纯净波技术在超声成像应用中的优势....
基于将180°电畴翻转分成两次连续90°翻转，我们模拟了PZT陶瓷在力电耦合载荷下极化翻转行为．模拟结果表明，先加电场后加压应......
分离式Hopkinson压杆(SHPB)实验的传统测试技术是基于应变片的电测技术,测试结果的可靠性强烈依赖于应变片与杆之间粘贴质量,受到......
提出了一种制备WZT粉料及陶瓷的新工艺，即采用湿-干法制备WZT固溶体粉料。首先用聚合物中间体方法合成了钙钛矿型WZT中的B位离子氧......
简略介绍了锆钛酸铅(PZT)陶瓷的特性及应用以及用超细粉体制备PZT陶瓷与传统的固相反应法相比所具有的优点.对目前常用的几种制备P......
富锆型PZT陶瓷在室温附近发生低温铁电三方相到高温铁电三方相的相变（FRL-FRH）相变并产生很大的热释电系数，相变过程中介电常数和损耗......
为降低压电陶瓷高温空气极化工艺中过高的极化温度,通过适当提高极化电场的方法,将极化温度降低至压电陶瓷居里温度以下。通过使用......
借助X光衍射的方法研究了反应煅烧法生成PZT固溶体的反应机理。研究表明，Zr0.5Ti0.5O2与PbO反应过程中没有中间相的生成，反应的快慢......
热释电材料是现代非制冷红外焦平面阵列发展的关键技术之一,它的性质通常直接决定了红外探测器的性能。锆钛比在95/5附近的一类锆......
MSP (Modified Small Punch)试验法是一种适合陶瓷、玻璃等脆性材料的小样品力学性能评价方法。该方法结合了冲压和双轴弯曲试验的......
学位
化学镀镍前处理工艺中的粗化工艺在化学镀镍过程中具有重要作用.研究了粗化方式对PZT陶瓷表面化学镀镍层性能的影响以确定锆钛酸铅......
随着微机电系统(MEMS)的快速发展及市场前景越来越好,对MEMS产品可靠性、经济性、高效性等方面的要求越来越高,从而对MEMS中所用材......
含铅压电陶瓷材料由于具有较好的压电性能,被广泛应用在传感器、驱动器和能量采集等器件中。但是随着时代的发展,铅元素对人体和环......
化学镀镍是一种先进的PZT陶瓷覆镀电极层的技术,其镍层附着力大小是影响电极层质量的关键因素。通过PZT陶瓷镀镍前的酸蚀工艺试验,......
PZT陶瓷材料是一种具有重要应用价值的多功能材料。在非制冷的高性能热释电红外探测器应用方面，基于PZT陶瓷材料制备的红外探测器件......
锆钛酸铅(PZT)材料是一种典型的铁电材料,具有优良的热释电性能。针对国内热释电红外探测器存在生产效率低和性能较差的缺点,本论......
采用小样品力学性能试验方法（Modified Small Punch Tests,简称MSP）对Pb（Zr,Ti）O3陶瓷（PZT）实施了不同大小应力下的循环疲劳实验,循环应......
期刊
用两种湿化学法(水热法和溶胶-凝胶法)制备了PZT纳米粉体,并经烧结得到PZT微晶陶瓷.对两种方法所得的陶瓷进行介电测量.分析表明:......
