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屏蔽栅场效应管SGT-MOSFET（Shield-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）,作为新型功率开关MOSFET,通过在槽栅......
近年来,无线通信的发展,对射频收发系统提出了功耗更低、频率更高、尺寸更小、成本更低、可靠性更高的要求,压控振荡器作为射频收......
随着电子电力系统的发展,对半导体电子器件在高温、高压、高频和强辐射环境下的性能也提出了更高的要求。碳化硅材料因其禁带宽度......
提出了一种高集成度高优值压控振荡器(VCO).采用全差分有源电感,克服了传统螺旋电感面积大、不可调谐的缺点.采用可变电容阵列和开......
CDMA在无线移动通信中受到了“垂青”,得到了通信专家与用户的首肯.为此,笔者将古典的线性模拟调制通信方式与现代的CDMA的性能予......
期刊
设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源......
人教版高中数学试验本第二册(上)增加了“简单的线性规划”这部分内容,在线性规划的实际应用中,理论上得到的最优解有时可能不满......
在状态空间和行动集均有限的条件下,[1-5]讨论了时间离散的、平稳的马氏决策规划的摄动模型.其中,[1,3,4]讨论了单摄动模型,[5]讨......
本文针对某一商场分发宣传广告招揽顾客的情况，通过建立概率模型确定广告费和订购量得最优值，使商场的利润在平均意义上达到最大. ......
栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数.器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标.文中对传统结构和新结构的栅......
基于Al2O3掺杂量为3wt%的氧化锌铝陶瓷靶材,采用直流无反应磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO:Al透明导电薄膜.研究了氩气压强对......
在传统AlGaN/GaN肖特基二极管中,阳极漏电始终是制约器件耐压提高的一个重要因素。因此文中研究了在缓冲层中生长P型埋层并与阳极......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体材料,具有高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和漂移速率等特点。SiC功率器件相比传统硅基器件功耗......
简要地介绍了温差发电的原理,热电材料方面的研究进展,并对这一技术的应用现状作了综述,指出作为利用热电转换材料将热能转化为电......
InGaAs材料及用该材料制成的探测器有很多优点:制作工艺简单,很高的响应速度,以及非制冷工作。这些优点使其成为制备短波红外探测......
横向高压DMOS（Double-diffused MOSFET）是功率集成电路（Power IntegratedCircuit，PIC）中的核心器件。耐压特性是功率器件的关键问题，横向......
横向双扩散MOS管(Lateral Double-diffusion MOS，LDMOS)作为横向高压器件的典型代表，因性能优、成本低和易于集成等优势被广泛应用于......
功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Filed-effect Transistor)具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等优良性能,在电源管理......
为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（lateral double-diffused MOSFET,LDMOS）的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的......
相比于模拟信号,数字信号具有抗干扰能力强、传输质量高,以及便于集成等诸多优点,而模数转换器(ADC,Analog-to-Digital Converter)......
