电力场效应管（Power Metal Oxide Semiconductor FET,P-MOSFET）是构成电力通信电源的核心器件,其可靠性直接影响到电力通信的安全稳......

提出了一种Ga Al As红外发光二极管自动温控RTS（Random Telegraph Signal）噪声测试新方法。通过分析Ga Al As IRLED的RTS噪声产生机......

提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法。该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发......

近年来CMOS图像传感器技术得到了飞速的发展,它已被广泛应用于消费类电子、工业、医疗、航空航天等领域,其性能指标已然超越传统的......

逾渗分析方法首次被系统用于微电子器件可靠性建模与仿真工作。 近年来硅CMOS电路不断向高速、高密度、低功耗,系统芯片化方向......

原生和强场诱生并与电场奇异性密切相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一。随着器件尺寸的不断缩小和栅介质......

大数据时代的到来对大容量存储器带来了新的机遇,同时也提出了新的挑战。浮栅存储器是目前应用最为广泛的非易失性存储器之一,占据......