本文简述了国外金属硅化物(Au—P—Si、Pd_2Si、PtSi)肖特基势垒红外电荷耦合器件(SB—IRCCD)的发展动态。其次展望了长波(1～12μm)......

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施. This paper mai......