SOI-LIGBT相关论文
功率半导体器件作为提升电能利用效率的关键之所在,将为我国经济插上绿色环保、高效智能的翅膀飞向世界之巅。SOI LIGBT凭借更强的......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon On Insulator-Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT)具有隔离效果好......
提出了一种逆导型(RC) SOI-LIGBT.通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了......
为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI......
提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构.通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压.在新型LIGBT漂移区中......
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极P＋阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对S......
现代工业和高新科技的迅猛发展急需电力能源的供应保障,功率半导体器件作为支撑电能高效化、能源环保化利用的中流砥柱,承担着电能......
横向绝缘栅双极晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor:LIGBT)具有电压控制、低导通电阻和高输入阻抗等优点,且兼具纵......
基于SOI-LIGBT（Silicon-on-Insulator—Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor），采用二维器件模拟软件Tsuprem4和Medici，仿真N-bu......
