三硫化二锑（Sb2S3）是一种简单层状结构的直接带隙半导体,具有合适的禁带宽度（1.7 e V）,相形成温度低,吸光系数高以及环境友好等特点,被......

近年来,硫化锑(Sb_2S_3)因其优异的电学和光学性能,被认为是传统薄膜太阳电池的吸收层材料中极具发展前景的替代材料之一。本论文......

Sb2S3作为Ⅴ-Ⅵ族重要的半导体材料,具有独特的光电特性,在热电制冷及光电器件等领域有着潜在的应用价值。化学浴沉积法工艺简单、......

采用溶剂热法和热处理过程在ITO导电玻璃衬底上制备Sb2S3薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光分光光度......

采用旋涂法来制备Sb2S3薄膜,薄膜结晶性好、纯度高。在此基础上,以Sb_2S_3薄膜为光吸收层,制备了结构为FTO/TiO_2/Sb_2S_3/P3HT/Al......

采用Piranha化学法与化学浴沉积技术相结合,在玻璃基板上成功制备了Sb2S3薄膜。研究了Piranha溶液不同处理时间对基板表面润湿性的......

量子点太阳电池作为下一代新兴太阳电池具有较大的发展潜力,PbS量子点由于其波尔激子半径大（18 nm）,带隙可调,吸收系数高(1-5×105 c......