GaAs衬底相关论文
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
利用１．０６μｍ脉冲Ｎｄ∶ＹＡＧ激光，以含Ｚｎ的固态杂质源在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行诱导扩散，作出了Ｐ－Ｎ结。获得了亚微米的扩散结结深及１０２０ｃｍ－３量级的表面掺杂浓度，并......
Ga As衬底与外延层质量 ,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能 ,而超声 AB腐蚀法是一种能准确快速的显示 G......
当今信息社会,更大的储存容量、更快的读写速度、更高的数据安全性及更低的功耗是人们对存储器性能的要求,这就使得存储器件的尺寸......
日本通信综合研究所研制成功了在光通信波段(1．3μm波段)工作的类锑半导体量子点激光二极管，并进行了室温振荡。据理论推测，半导体量......
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm......
介绍MEMS微波功率传感器的研究与发展,包括自加热式、间接加热式、插入式和电容式微波功率传感器。文中以共面波导(CPW)、负载电阻......
利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素......
采用激光分子束外延技术,在GaAs（100）衬底上,利用SrTiO3（STO）/TiO2复合缓冲层生长外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3（PZT）铁电薄膜。TiO2/STO复合缓......
本文介绍了基于GaAs衬底工艺制作的L波段高隔离度定向耦合器。该芯片在1.0~1.5GHz的频带内插入损耗小于0.15dB,回波损耗优于-20dB,......
随着信息科技的发展,半导体技术的发展也很迅速,相应的半导体材料的研究也就显得十分的重要。宽禁带化合物半导体材料氮化镓拥有高......
太赫兹技术在医学成像、无线高速通信、微小目标探测和军事应用等领域具有非常高的应用价值,目前太赫兹技术的发展主要受到太赫兹......
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高......
