Si(001)衬底相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

Si(001)衬底相关论文

Dielectric and insulating properties of SrTiO3/Si heterostructure controlled by cation concentratio

有不同阳离子集中的 SrTiO3 电影被氧化物在 Si (001 ) 底层上扔分子的横梁取向附生。非结晶的层在其厚度在生长期间取决于氧压力......

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阳离子浓度浓度控制异质结构绝缘性能电介质 Si(001)衬底 SRTIO3 分子束外延 oxide heterostructure oxide fil

N-Doped Zigzag Graphene Nanoribbons on Si（001）： a First-Principles Calculation

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Si(001)衬底第一性原理计算氮掺杂纳米带锯齿型石墨相互作用反铁磁耦合

Si（001）衬底上方形3C—SiC岛的LPCVD生长

Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,......

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方形3C-SiC LPCVD Si(001)衬底半导体材料碳化硅硅衬底异质外延生长 square shaped 3C-SiC islandsLPCVD

Si（001）衬底自组织生长Ge量子点的组分和应变

利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi......

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Si(001)衬底自组织生长 Ge 量子点组分应变硅衬底锗半导体同步辐射掠入射 X射线衍射

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