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C~+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱
利用metalvaporvacuumarc离子源产生的C+离子,注入单晶Si衬底,得到了SiC埋层.利用X射线光电子能谱,研究了SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱.结果表明:Si2p的特征能量损失谱依赖于SiC埋......
期刊
Si2p
埋层
SiC
能量损失
浓度分布
有序度
光电子能谱
离子源
半峰宽
离子注入
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