半峰宽相关论文
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-......
目前,OLED显示正朝着高色纯度和高分辨率的方向发展。在现有的技术中,提高电致发光色纯度的方法主要是通过滤光片或构筑特殊的光学......
有关氢氧化镍在电池制作过程中半峰宽的变化,未见文献报道.作者采用XRD检测了氢氧化镍制作镍氢电池、镍镉电池正极极片,发现氢氧化......
本文介绍了一次粒径是高温氧化铝重要的性能指标,参照国外一次粒径的测量机理,通过对多种样品进行研磨试验,总结出简便可靠的测量......
采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3(Ce:CLN)晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱......
用2,5-噻吩二羧酸、2,2’-联吡啶与稀土离子(RE=Eu,Dy,Pr)合成了稀土三元配合物。配合物分别用元素分析、差热分析和红外光谱分析......
单晶材料表面缺陷测量解决方案:使用X射线定向仪对晶体表面进行测量,通过半峰宽对晶体表面生长的完整性进行品质评价;该设备具有检......
设计合成了以哌嗪为电子给体,2,2′∶6′,2″-三联吡啶为电子受体的超分子聚合物构筑单元PPTPY,通过Zn2+、Cd2+诱导自组装聚合,得......
采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的Cd Ge As2单晶体。为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表......
采用熔融共混法,制备了聚酰胺6/氯化钙(PA6/CaCl2)复合材料。通过差示扫描量热法(DSC)、X射线衍射法(XRD)研究了PA6基体在受限条件......
二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件......
以3,4,9,10-苝四酸二酐为原料,通过在分子两端芳香环(bay位)分别连接2-甲氧基乙氧基和硝基,合成了两个不对称苝酰亚胺小分子N,N’-......
采用醋酸铅作为铅源,成功制备出CH_3NH_3PbBr_(3-x)Cl_x(MA=CH_3NH_3,0≤x≤3)发光纳米晶体颗粒。醋酸铅比卤化物铅盐,尤其是氯化......
采用天然鳞片石墨为原料,用氧化-还原法在不同还原温度制备石墨烯,通过XRD、SEM、恒流充放电等检测手段研究了不同工艺参数对石墨......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得......
根据闽北地区杉木丰产林110块样地的经营密度,应用半峰宽公式计算其合理经营密度。结果表明,最大密度模型的合理经营密度为0.64～0.8......
采用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源的离子束合成方法，对单晶Ｓｉ衬底注入Ｃ＋离子，获得不同剂量下的ＳｉＣ埋层．Ｃ＋离子束的引出电压为５０ｋＶ，注入的剂量为３０×１０１７—１６×１０１８ｃｍ－２．通过红外吸收谱的......
应用Ｘ－射线双晶衍射对磁控溅射法制备的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）／ＳｒＴｉＯ_３超导外延膜和衬底之间的位向关系以及晶体完整性的研究，表明衬底和外延在相应的衍射面之间......
用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度为１．４×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３））。载流子浓度随生长温度升......
本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表......
用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高......
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长......
简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光......
研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱，并与未掺杂样品相比较，发现掺杂样品的发光峰红移，其中单边......
利用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源产生的Ｃ＋离子，注入单晶Ｓｉ衬底，得到了ＳｉＣ埋层．利用Ｘ射线光电子能谱，研究了ＳｉＣ埋层中Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱．结果表明：Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱依赖于ＳｉＣ埋......
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ......
黄铁矿FeS2，是热液型金矿床中重要的载金矿物，具有成矿意义。研究水热条件下黄铁矿的生长过程，探究黄铁矿生长的影响因素，可为今后在相......
利用欧拉角表示晶粒取向的Monte Carlo方法,模拟了异常晶粒长大过程。通过Voronoi模型产生了晶粒尺寸近似符合Lognormal分布且具有......
本文研究了环烷酸钕盐体系聚乙炔的密度和结晶性能。发现改变Al/Nd摩尔比(2～8)和聚合温度(-15℃～40℃),对聚乙炔的顺/反组成、密度和......
通过收集１３２ 块柳杉人工林标准地资料，建立了柳杉人工林最大林分密度模型。而后经 Ｋ— Ｃ 的正态分布检验，用半峰宽理论计算出其合理经营密......
为消除色谱系统中有机酸的吸附,本文提出用自制改性玻璃微球载体和玻璃汽化室,以季戊四醇棕榈酸酯和聚乙二醇-20M为固定液,成功地......
前言在设计异戊二烯精馏塔时,需要异戊二烯、2-甲基丁烯-1、2-甲基丁烯-2三元汽液平衡数据,为了用气液色谱准确测量其汽液相组成,......
本文以十种双-(对-烷氧基苯甲酸)-4,4’-联苯二酚酯液晶为对象(烷氧基中烷基R由甲基至癸基),选用蒽、菲为探索样,从温度对保留值、......
Kaiser提出的ABT-概念,其基本表示式和一些导出式如下:式中,b为组分谱峰的半峰宽,b_0为非滞留物的谱峰的半峰宽,a为直线的斜率或......
在空气分离装置中,往往由于烃类(尤其是乙炔)富集而引起爆炸。长期以来,人们试图寻找一种烃类杂质含量的快速测定方法。这方而的......
用毛细管色谱柱进行定量分析,必须测定正确的“定量校正值”。本文提出了用标准的二元混合物测定这种校正值的方法;并探讨了不同的......
近年来,R.E.Kaiser对色谱工作中的柱效问题,运用回归分析数据处理方法,提出一个“ABT”概念,借以计算实际塔板数“n实”,认为比理......
冠醚选择性地与碱金属、碱土金属以及其他金属阳离子生成稳定络合物的特性,引起了人们的极大兴趣,并已开始应用于无机离子的分离......
在适当的色谱条件下,在三根分别涂有OV225,EGS和PEG4,000的柱上对正构烷烃、正构伯醇、苯和正构烷基苯三个同系物的色谱峰的k′(容......
在新建立的SCOT柱色谱理论模型基础上,利用积分变换矩分析及数理统计理论,证明了SCOT柱色谱峰保留时间与半峰宽间的一般关系是一双......
