SiN_x薄膜相关论文
采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下（200℃）制备了非化学计量比氮化硅（SiNx）薄膜.在N2氛围......
以NH3和SiH4为反应源气体，在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨......
柔性OLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,使柔性OLED器件很难达到商用显示器件1×104h......
