Si片相关论文
GaN作为第三代直接宽禁带半导体材料的代表,具有高击穿电场、高迁移率、高电子饱和漂移速率、高频、耐高温和抗辐射等优点,使其在......
设计了一套硅片专用真空夹紧装置,包括夹紧装置和微型无油真空抽气泵.为减少硅片在夹紧过程中变形,夹紧装置采用了多吸口、回旋槽......
对Nd: YAG固体激光器倍频、三倍频激光输出在空气和水浴环境下刻蚀Si片进行了研究,分析了刻蚀速率和样品表面形貌,得出了在355 nm......
用Nd：YAG固体倍频激光器在水中对Si片进行微刻蚀比在空气中产生的飞溅物少。对两种条件下的刻蚀速率、刻槽表面形貌进行了比较。实......
