Te掺杂相关论文
InSb原料因含受主杂质,制备出的InSb晶体通常呈P型特性,其迁移率低无法满足低温(77 K)时红外探测器需求。为了获得高迁移率特性,通......
本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征......
采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物,并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响.采用XRD及EPMA确定了相组成及化......
采用微波快速合成结合放电等离子（SPS）烧结技术,制备了不同Te掺杂量的Co3Sb3-xTex（x=0、0.4、0.5）样品。并对其进行物相组成、微观结构......
