研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 ......

研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%......

TiO2基压敏陶瓷的非线性伏安特性和介电性能优良，具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了此陶瓷的制备工艺、烧结制度、施主、......

分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样.通过压敏电压、非线性系数、......

基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同的(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测......