晶粒电阻相关论文
本文以传统陶瓷制备工艺制备了Y掺杂Ba0.6sr0.4TiO3基半导体陶瓷材料,分析了不同Y掺杂量与材料PTC特性之间的关系。结果表明：Y3+作......
通过在SnO2陶瓷压敏电阻中共同掺杂Sb2O5和Y2O3(0.05％,物质的量分数),采用扫描电镜和阻抗仪研究了Sb2O5掺杂量(0,0.05％,0.10％,0.15％,物......
基于YSZ多晶固体电解质阻抗谱测量结果,结合微观分析手段,总结了晶粒和晶界电性能随样品烧结温度与晶粒形貌的定性变化规律.建立导......
<正> 一、前言β-Al2O3是一大类铝酸盐的总称,它的通式为M2O·XAl2O3,M可为Ag+,Li+,Na+,K+,Rb+,Cs+,Tl+,Ga+,H3O+,NH4+等一系列阳......
采用传统固相反应法制备了Mn2.1Ni0.9O4热敏陶瓷,运用X射线衍射仪、直流阻温测试仪、交流阻抗技术对其结构和电学性能进行了测试,......
研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%......
研究Ta2O6对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现"U"字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%......
研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响.研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片......
研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的......
采取通用的陶瓷工艺，按配方（摩尔分数）TiO2＋0．3％（BaCO3＋Bi2O3）＋0．075％Ta2O5＋x％SiO2，其中x=0．1，0．2，0．3，0．4，0,5，制备试样。经过R-f，C-f和I-V测量，研究了SiO2对......
研究SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响,发现按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3) +0.......
采用固相反应法制备了Y掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷,研究了Y掺杂量对Ca1-xYxCu3Ti4O12（x=O%,1%,3%,5%）陶瓷的物相结构、微观形貌和介......
期刊
研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量......
