Z箍缩等离子体相关论文
介绍了我们在阳加速器上进行的系列W 丝阵Z 箍缩物理实验，本文主要研究的是W 丝阵内爆产生的软X 光的辐射特性。用于软X 光功率测量......
极紫外光刻技术是制造特征尺寸小于22nm芯片的最有前途的光刻技术,极紫外光源是极紫外光刻技术的重要组成部分。激光辅助放电等离......
喷气式Ｚ箍缩等离子体装置可以产生较强的软Ｘ射线，能量大约在２—６ｋｅＶ之间。利用此装置产生的软Ｘ射线，用ＣＳＭ作光刻胶，进行了Ｘ射线光刻的初步研究，得到......
为了诊断Z箍缩等离子体X射线相关信息,利用自聚焦和均匀色散原理,研制了一种新型的均匀色散弯晶谱仪.晶体分析器采用α-石英(1010)......
纳秒级可见光分幅相机现已广泛应用于瞬态等离子体物理过程诊断，是进行物理现象学研究的重要手段。为“强光一号”研制了一套纳......
分析了Z箍缩等离子体的辐射特性；介绍了用平面晶体作为分光元件的X射线晶体谱仪的原理、结构参数设计及性能分析；对晶体谱仪测量X射......
毛细管放电Z箍缩等离子体软X射线激光器近几年发展非常迅速,已经获得了在46.9nm的波长上近毫焦量级的激光输出,重复频率达到了4Hz.......
极紫外光刻技术可以制造特征尺寸小于22 nm的芯片,是推动半导体集成电路发展的重要手段。极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部......
介绍了在阳加速器上进行的系列W丝阵Z箍缩物理实验,实验中阳加速器Marx充电电压60kV,负载电流输出0.85～1.00MA,电流上升时间75～90ns（1......
建立了由球面弯晶、塑料闪烁体、光纤传像束与CCD高效耦合的X光能谱测量系统，在“强光一号”装置上成功测量了铝丝阵Z箍缩等离子体X......
介绍了用于阳加速器上Z箍缩内爆实验诊断的Dante谱仪的结构和通道配置,详细讨论了X射线二极管、掠入射平面反射镜和滤片等主要元器......
介绍了在＂阳＂加速器上使用的闪烁体功率计结构和测量参数,讨论了功率计在北京同步辐射装置上的标定实验,分析了标定结果及由此结果可......
为了诊断Z箍缩等离子体X射线相关信息，利用自聚焦和均匀色散原理，研制了一种新型的均匀色散弯晶谱仪。晶体分析器采用α-石英（1010），布......
针对铝单丝Z箍缩负载,计算其可形成金属蒸气而不形成核冕等离子体的电路和负载参数范围.提出了铝丝电爆炸形成金属蒸气的能量沉积......
研制了一套纳秒级可见光分幅相机，用于“强光一号”早期放电过程的观察和诊断。介绍了相机的主要性能，利用该相机得到了丝阵负载Z箍......
使用紧凑型汤姆生离子谱仪对喷气式Z箍缩 (Z pinch)等离子体发射的离子束能谱进行了实验研究 .紧凑型汤姆生离子谱仪由入射窗、偏......
研制了一台五通道ROSS-FILTER-PIN软X射线能谱仪,能谱范围为0·28—1·56keV.它由5个连续能段组成,每个能段的起止边由罗斯滤片对(......
