将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的最佳条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用x射线衍射(XRD)......

将Zn粉末置于流量为500ml／min的NH3气流中，在600℃氮化120min，制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射（XRD）表明Zn3N2粉末具有立方结构，其晶......

报道了氮化锌空心粉末的制备和表征。将纯Zn粉置于流量为500mL／min的NH3气流中，在600℃温度下氮化150min，制备出Zn3N2空心粉末。用X射......

氧化锌(Zn O)是一种宽带隙氧化物半导体,在室温下的带隙宽度为3.374 e V,并且其激子束缚能高达60 me V,是实现高温激子型紫外光电......

在氮化温度500-600℃，用Zn粉末与流动的NH3反应3小时，制备出高质量的Zn3N2粉末。用X射线衍射（XRD）测量了所制Zn3N2粉末的结构，发现NH3流......