氮化法相关论文
氮化铀固有的重金属密度大、增殖比高、导热性好和与钠冷却剂良好的化学相容性等优异特性,使其成为事故容错燃料及空间堆燃料的重......
GaN是一种优秀的宽带隙化合物半导体材料，具有宽的直接带隙，室温下禁带宽度为3.39eV；GaN具有强的原子键、高的热导性等性质以及强的热......
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的最佳条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用x射线衍射(XRD)......
将Zn粉末置于流量为500ml／min的NH3气流中，在600℃氮化120min，制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射（XRD）表明Zn3N2粉末具有立方结构，其晶......
20I1年，钛白粉行业可谓多事之秋，10月底，疑因采用未经授权的杜邦氮化法钛白粉技术，攀枝花钢铁有限责任公司钛业公司董事长赴美洽谈业务......
Juza和Hahn于1940年首次合成Zn3N2材料,并确定Zn3N2为黑色,具有反氧化钪（Sc2O3）结构,一种CaF2的派生结构。在这种结构中N原子占据Ca......
近年来,把氮化硅作为高性能陶瓷材料,用于蒸气透平及汽车发动机上,已是许多科学工作者所关注的课题。而且目前研究制备氮化硅
In......
近年来,随着CMOS集成电路的飞速发展,器件特征尺寸已经进入纳米量级。传统SiO2栅介质由于厚度的减小产生很高的隧穿电流,因此高k栅......
学位
本文介绍了氮化硅陶瓷对氮化硅粉末烧结原料的特性要求,述评了SiO2还原氮化法、硅亚胺热分解法、高温气相反应法、激光气相反应法......
主要讨论采用氧化铝还原氮化法来合成氮化铝(AIN)粉末。文中阐述了AIN陶瓷的优良性能和作为高温结构材料的广阔开发前景。论述合成......
采用直流电弧等离子体辅助法,使钇铝合金(Al:Y)和氮气直接反应,成功合成了掺钇氮化铝(AlN:Y)纳米线。用XRD、SEM和拉曼光谱对所制......
