d0铁磁性相关论文
对MgO(110)单晶进行中子辐照,辐照剂量从1.0 × 1016到1.0×1020 cm-2.基于黄昆漫散射理论,我们计算了MgO晶体中的立方缺陷和偶极......
对(100)取向的MgO单晶进行了不同剂量的60Coγ射线辐照,辐照剂量从30 kGy到1 750 kGy。利用同步辐射漫散射技术以及紫外-可见吸收......
近年来自旋半导体电子学的飞速发展使人们将目光转移至氧化物稀磁半导体材料的探究上来。在针对SnO2基稀磁半导体的研究上,已证实3......
d0铁磁性是近年来出现的一种新的磁现象,它突破了传统的由部分填充的d或f电子的磁性原子所构成的磁性材料,实现了非磁物质的室温铁磁......
d0铁磁性SiC被认为是自旋电子学领域的关键材料之一,受到广泛关注.本文采用氩气气氛保护的共烧掺杂方法制备具有d0铁磁性的Al掺杂6......
采用基于密度泛函理论(Density function theory,DFT)的第一性原理方法,计算研究了AlN中掺杂Mg后的电子结构和磁性。我们从理论上给......
掺杂技术是现代半导体技术的核心之一.本文介绍了荣获2017年国家自然科学奖二等奖的项目,重点围绕宽禁带半导体材料、二维半导体材......