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n型砷化镓相关论文
n型LPE Ga_(1-x)Al_xAs层中电子辐照缺陷的研究
运用深能级瞬态谱(DLTS)技术,结合等时退火,研究了1.8MeV电子辐照在n型LPE G_a_(1-x)Al_λAs(0≤x≤0.28)层中产生电子陷阱。结果......
期刊
辐照缺陷
电子辐照
x)Al_xAs
LPE Ga
n型砷化镓
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电子陷阱
深能级瞬态谱
等时退火
缺陷
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