共振隧穿相关论文
激光由于具有高亮度、高方向性、高单色性以及高相干性等优点,如今已成为研究非线性光学至关重要的工具。激光场与物质相互作用可......
讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体(MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性.所制备的样品最大发光亮度达到1.9 cd......
期刊
全光开关技术有着多方面的应用价值。现有手段实现的全光开关体积较大,这样就不利于未来全光器件的集成,而且有些方法对实验条件的......
为了突破传统的机电转换效应的宏观物理局限,需要研制新一代基于新原理、新效应的具有更高灵敏度、更低功耗的微/纳机电器件。本文......
随着纳米技术的进步与革新，电子器件研究现已深入介观尺度。现代科学研究涌现出大批新的现象和新的技术。其中，自旋极化电子隧穿等量......
本论文介绍了一种新型的纳机电(NEMS)声传感器,该声传感器是基于GaAs/AlAs/InGaAs共振隧穿结构(RTS)介观压阻效应所设计的悬臂式结......
本文对基于介观压阻效应的共振隧穿仿生矢量水听器的测试技术进行了系统的研究,设计了几种不同的信号提取电路,并将其与相应实验设......
随着分子束外延(MBE)技术和纳机电系统加工技术的快速发展,各种新型的超晶格量子阱器件被加工出来。因尺度变小而产生的各种效应(......
该论文主要运用传递矩阵理论研究了台阶垒及多势构成的半导体超晶格结构中电子的隧穿输运现象.(1)台阶垒是介于单势垒与非对称双势......
二十世纪九十年代初，由于电子束微刻等技术的发展和成熟，人们在实验室中成功的实现了对二维电子气体的纳米尺度的磁调制。由于这种结......
量子隧穿效应是微观粒子的基本特性之一。对于宏观的体系,由于环境的退相干和不同个体的统计平均的作用,很难体现出量子隧穿效应。......
电子制冷技术是通过电子在传输过程中携带热量来实现制冷的。与传统的依靠介质的液态、气态变化或化学变化来实现制冷的技术相比,......
对电子在弯曲量子线中的弹道输运性质进行了理论研究.弯曲量子线由T型量子线和单曲量子线组成.该有限长的量子结构分别与两半无限......
分析研究了GaAs InAs自组装量子点的电输运性质 ,通过对实验数据的分析 ,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I V曲线中迟......
在特殊设计的三势垒双势阱结构中,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态,发现......
期刊
考虑单个二能级超冷原子穿过多个空间分离的单模腔场,研究原子质心运动的动能、腔长和腔间距对原子透射率和光子辐射率的影响.在腔......
基于Ξ形四能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称量子阱中非定域激子复合发光特性.理论结果表明:非定域激子复合发光具有双峰特征......
基于非磁性材料开腔光量子阱结构设计了非磁性闭腔光量子阱和磁性材料光量子阱结构。用时域有限差分法(FDTD)计算了这三种量子阱结......
研究了电子隧穿出射端嵌入1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面......
利用传输矩阵方法研究了由负介电常数材料和负磁导率材料交替生长形成的一维光子晶体的共振隧穿特性. 结果表明: 这种结构的光子晶......
研究了正常金属-量子点-超导系统的输运特性，并考虑了相互作用在点上和对势在超导一边，输运特性依赖于库仑阻塞效应和Andreev反射的......
成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子......
研究了电子隧穿通过量子点的相干输运特性。考虑量子点上的库仑相互作用，得到了电导-门压的共振隧穿曲线，并讨论其物理意义。......
为了突破传统机电转换局限，提高加速度计灵敏度，提出以介观压阻效应为工作原理制作高灵敏度的硅微加速度计，基于这种原理设计一种四梁......
通过数值求解非平衡态维格纳函数，研究了三量子阱（three-quantum-well）超晶格单元结构共振隧穿电屉电流特性．计算结果表明：增大阱宽，减小......
共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿，是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一......
在20mK的低温下,在由Nb/AlOx/Nb结构成的磁通量子比特样品上,通过初态的制备,成功观测到了双势阱中的共振隧穿现象。这一现象在不......
运用了一种新效应一介观压阻效应，以AIAs／GaAs／AIAs共振隧穿双势垒（DBRT）结构薄膜作为力敏元件，设计了一种压阻式微位移传感器。通过分析......
介绍了共振隧穿效应，并在此基础上利用共振隧穿二极管（RTD）设计了共振隧穿压阻式的微加速度传感器实验检测方案。对所设计的微加速度......
研究了铁磁体-半导体-铁磁体（F/S/F）准一维系统中电子的透射率.得到如下结论：1）改变作用在2铁磁体上磁场方向角ρ和θ,电子透射率在满......
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象.对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明,在零偏压和非零偏......
利用传输矩阵法研究了单负材料一维光子晶体（AB）m（ADBDB）n（AB）mA的透射谱,发现：透射谱中出现2个共振隧穿模,其位置和间距可由周期数m或n,......
三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层......
本文对反平行磁电垒结构中二维电子气体的输运性质进行了详细的研究.利用传递矩阵的方法计算了电子气体隧穿磁电垒结构的传输概率......
在PECVD系统中，用layerbylayer的方法原位制备了a—SiNx／nc—Si／a—SiNx双势垒结构样品。AFM测量结果显示nc—Si晶拉密度约为1．2×......
运用共振隧穿双势垒（DBRT）结构中的一种压阻效应原理-介观压阻效应，用GaAs／AlAs／InGaAs DBRT结构薄膜作为敏感元件，设计了一个周边固支平......
通过求解薛定谔方程得到由矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和透射系数的精确解，并研究了多量子阱系统结构变化对共振隧穿效应的影......
应用介观压阻效应,研究设计了一种含直拉直压微梁结构的微机械陀螺,并利用共振隧穿薄膜作为该微机械陀螺的敏感元件以提高陀螺的灵......
文章以共振隧穿RT器件为主要器件,设计了上边沿触发的共振隧穿D触发器。该触发器以1-of-2共振隧穿数据选择器为核心电路,带预先置......
在建立玻璃中阻容耦合双量子点模型的基础上，通过分析双量子点的静电能和化学势，讨论了化学势随外加偏压的变化和共振隧穿现象．随外加......
分析了金属电极间的冷聚变现象,采用量子力学方法,导出在微观外场作用下反应核的穿透几率以及相应的核聚变截面公式,阐释了在核聚......
通过考虑载流子在量子点中的隧穿、弛豫、热逃逸和非辐射复合等主要输运过程，并建立速率方程模型，研究了隧穿注入量子点体系的载流子......
接触是纳电子器件研究中的重要课题.我们以由6个金原子构成的Au6原子线簇为核心工作区的原型纳电子器件为例,利用Green函数方法计......
通过求解薛定谔方程得到由N个矩形势垒构成的量子阱系统的传输矩阵和电子透射系数的精确解,研究了多量子阱系统中势垒宽度、势阱宽......
利用特征矩阵法对一维金属-介质光子晶体的特性进行了计算,发现此种光子晶体具有可见光透明,微波、紫外高反的光谱特性,而且存在比......
对有限长Y型最子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算。该有限长量子结构分与两半无限长的量子通道相连。当施加一偏压时，量......
