比接触电阻率相关论文
当金属材料与半导体材料相互接触时,由于材料的功函数不同,可以形成两种截然相反的接触:肖特基接触和欧姆接触。在不同的制备工艺......
利用连续Ar<sup>+</sup>激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd<sub>2</sub>Si/GaAs(6.9×10<sup>17</sup>cm<sup>-3......
采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究.实验结果表明,在4......
SiC具有宽禁带(3.2～3.4eV)，高热导率，高饱和电子漂移速率，因此被认为是制作高压，高温，高频器件的重要材料之一。 欧姆接触是制作SiC器......
通过采用环形传输线方法（CILM），电流-电压（I-V）曲线、表面形貌等方法，研究不同的Ni／Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接......
用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触.用两种不......
实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等......
采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影......
研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降......
近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,IT......
随着晶体管特征尺寸的不断缩小和集成电路集成度的不断增大,传统的在金属电极和硅基底的界面处生成自对准硅化物的技术已经达到了......
针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻......
随着CMOS集成电路技术进入纳米时代,一些物理现象开始在MOS器件中出现,如短沟道效应,速度饱和效应等,这使得传统的器件小型化(scal......
研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,......
针对40Gb／s高速过渡热沉阻抗匹配的要求，对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究．根据过渡热沉的等效电路模型，分析了Ta2N薄......
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摩尔定律预测硅材料CMOS器件特征尺寸按比例缩小已经接近其物理极限,InGaAs基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有沟道材......
利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5......
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极.在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018 cm-3的Ga......
单晶硅材料的禁带宽度较大且为间接带隙结构，因而只能对可见光进行有效吸收。通过对单晶硅表面进行微刻蚀和元素掺杂，在形成良好陷光......
针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统。扫描电子显微镜(SEM)和微束......
近年来,GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。......
作为一种新兴的宽带隙半导体材料,SiCN具有带隙可调（2.86～5.0 eV）、高的热导率、高的载流子迁移率、高的抗压、抗辐射等优异的物理化......
随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN......
采用多种传输线模型方法，测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率．通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异，得出了一个准确......
