三元化合物半导体相关论文
在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x=0．04)在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明，它......
综述了太阳能光电材料CuInSe2的研究历史和现状,主要讨论了CuInSe2的光学性质、电学性质、及其掺杂对禁带宽度的影响,介绍了薄膜的......
利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se,S)薄膜,薄膜为纤......
目前,大体积高质量晶体材料的制备为国防高技术装备所急需.作为一种新型室温核辐射探测器材料--CdZnTe(CZT)备受瞩目.CZT单晶是一......
本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究,设计组装了三温区单晶炉,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体......
<正>第一代半导体材料主要是指硅、锗元素半导体材料;第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);......
<正> 在前文我们曾用表征晶体极性、金属性和几何因素的三个独立参数,研究了某些单质和简单二元晶体的晶型和键型的规律变化.目前,......
1995年俄总统叶利钦发布命令,对科技领域十八项研究成果授予国家科学奖金,其中一项是莫斯科大学低温物理实验室鲍·亚·阿基莫夫......
