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利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se,S)薄膜,薄膜为纤......
采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近......
Zn(O,S)薄膜是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,它的带隙约为2.6eV-3.6 eV。它可以通过调节氧和硫的原子成分来控制自身的禁带......
本文对低温化学浴沉积方法制备的Zn(O,S)薄膜进行了研究,通过XPS、SEM、XRD、拉曼光谱、PL谱、紫外-可见吸收光谱等手段对薄膜的形......