三甲基镓相关论文
采用自行研制的立式MOCVD生长系统 ,以TMGa、TEGa为Ga源 ,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试......
通过 2-(2-苯并噁唑 )-4-甲氧基苯酚、 2-(2-苯并噁唑)苯酚与三甲基镓、三甲基铟反应，合成了四个新的金属有机化合物，并用元素分析、......
通过２－甲酰基吡啶与胺缩合制得Ｓｃｈｉｆ碱，经ＮａＢＨ４还原得到四个Ｎ－（２－吡啶甲基）芳胺（芳基＝苯基，邻甲氧基苯基，对甲苯基及２－吡啶基），得到的芳胺及Ｎ－（２－吡啶乙基）甲胺与三甲......
运用金属有机气相处延设备、国产三甲基镓和进口氮气，在蓝宝石衬底两相相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜，当衬底表面是向籽......
该文研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH)为气源物质、以氢气(H)为载气进行GaN半导体MOVPE外延生长时，NH分解率对于GaN半导体外延生长的......
氢在GaN薄膜制备工艺中扮演很重要的角色,氢主要有两个来源,一是载气氢,另一个来源是从TMG气源本身离解出来的氢产物。本文研究了......
八十年代以来，由于发现铝、镓、铟的金属有机化合物在制备半导体材料、特种陶瓷和电致发光材料等方面具有重要的应用价值 [1],因此，......
通过2-(2-苯并唑)-4-甲氧基苯酚、2-(2-苯并唑)苯酚与三甲基镓、三甲基铟反应,合成了四个新的金属有机化合物,并用元素分析、质子......
期刊
采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、......
合成了八个新型的三甲基镓与侧链含酚羟基的氮杂冠醚所生成的配合物，用元素分析、红外、核磁共振和质谱的方法进行了表征，推断了它们......
采用加合物提纯法(又称配合物提纯法)提纯三甲基镓(TMG),筛选出四甘醇二甲醚(TGDE)作为加和物,得到最佳的加合物配比和解配条件。......
采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、......
本文报导在低温，低压下，以三甲基镓（TMG），三乙基铟（TEI）为Ⅲ族源材料，100％砷烷（AsH3),100%磷烷（PH3）为V族源材料，用金属有机化合物气相沉积技术......
2010年12月2日，SAFC Hitech继2010年3月于英国Bromborough制造基地扩大生产三甲基镓（trimethylgallium，TMG）后，藉由宣布该公司计划于台......
本文建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定三甲基镓中杂质Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎ和Ｓｉ等１６种元素的方法。研究了样品的处理、基体镓对杂质元素的背景干扰......
利用X-射线光电子能谱（XPS）和程序升温脱附谱（TPD）研究了三甲基镓在Pd（111）表面的吸附和解离行为，并考察了表面预吸附H和O的影响。结果表......
对电感耦合等离子体原子发射光谱（ＩＣＰ－ＡＥＳ）法测定高纯三甲基镓（９９．９９９９Ｔ，相对于金属镓的含量）中Ｃu、Ｆe、Ｓi、Ｚn等３１种痕量杂质元素的含量进行了研究，考察了基体......
The complex dimethylgallium-[4-nitro-2-(N-benzo- 15-crown-5)-1-phenoxi de] (C23 H31 N2O7Ga)has been synthesized by the m......
用直接气相色谱法对三甲基镓和三乙基铝进行了分析,探讨了不同条件下的色谱行为。对有机杂质碘甲烷等进行了定性和定量分析。......
介绍一种石墨炉原子吸收光谱测定三甲基镓的方法。用乙醇分解三甲基镓,分解产物的水解溶液用于检测四种痕量元素Cu、Fe、Ms、Si。......
<正> 以等离子原子发射光谱(ICP—AES)法对易自燃的三甲基镓进行光谱化学分析中,涉及有关样品的仔细处理与转移。Bertenyi和Barnes......
对电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法测定高纯三甲基镓（99．9999％，相对于金属镓的含量）中Cu、Fe、Si、Zn等31种痕量杂质元素的含量......
期刊
本文建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定三甲基镓中杂质Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎ和Ｓｉ等１６种元素的方法。研究了样品的处理、基体镓对杂质元素的背景干扰......
<正> TMG 是制备砷化镓系列半导体薄膜普遍应用的金属源。它具有较大的蒸汽压和稳定性。通常制备 TMG 的方法是通过三氯化镓与其它......
<正> MO源是“金属有机化学气相沉积(即MOCVD)”技术的支撑材料,它是元素周期表中Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ族的高纯金属有机化合物,目前国际水......
<正> 金属有机法砷化镓气相外延工艺,国外已广泛用于微波和光电器件材料的制备。国内在微波器件材料的制备上也取得了一定的进展。......
<正> 本文叙述用三甲基镓（TMG）和砷烷（AsH3）制备砷化镓外延膜的初步结果,并对TMG引起的碳沾污作热力学估计,讨论了AsH3/TMG比对外延层......
