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在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此......
在考虑杂质不完全离化的作用下，建立了6H—SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。并通过模型，仿真分析了器件电流随温度的变化情......
ZnO为直接带隙的宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV;特别的,其激子束缚能高达60 meV。因此,ZnO在室温或更高温度下的紫外发光......
目前SiC作为一种在抗辐照领域有着巨大应用前景的极端电子学材料而倍受人们关注。为了能充分发挥SiC抗辐照的优势和潜力，本文首先对......
