受主能级相关论文
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
TiO2是一种常见的光触媒,但由于带隙较宽制约了其应用.采用第一性原理研究了Ag-X(X=F,Cl,Br,I)共掺杂对锐钛矿TiO2的结合能、态密......
采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮Zn0薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(X......
采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂......
采用第一性原理研究了Ce和N共掺杂锐钛矿TiO2的稳定性、电子结构和光学性质.结果表明在锐钛矿TiO2中Ce倾向于间隙掺杂,而N更倾向于......
借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和......
我们用电容瞬态技术研究了P型硅中金的空穴俘获截面与温度的关系。实验测得金的受主能级的空穴俘获截面对温度有强烈的依赖关系,即......
本文是对在多个深能级情况下求分布的理论的改进.原来的理论不适用于在Fermi能级与所研究深能级之间存在浓度与载流子浓度可以比拟......
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通过显微拉曼（Raman）光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍（Be）原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生......
ZnO为直接带隙的宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV;特别的,其激子束缚能高达60 meV。因此,ZnO在室温或更高温度下的紫外发光......
ZnO作为一种拥有优异性能的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是制备半导体紫外光电器件的理......
闪锌矿ZnS是一种常见的光触媒,是催化水制氢原料。闪锌矿ZnS的带隙较宽(3.68 eV),这在一定程度上制约了闪锌矿ZnS对可见光的吸收。......
本文共分七章;第一章列出了杂质、缺陷及其络合物在砷化镓禁带中引入的能级位置分布图表。第二节说明了Ⅰ、Ⅱ、Ⅳ、Ⅵ、过渡族和......
在本文中,我们先对前此提出的n型砷化镓的一个结构缺陷模型作一扼要的叙述,然后将模型指出的二个深受主能级,与文献报道的一些实验......
ZnO是一种多功能的化合物晶体材料，其特性决定了它在光电、压电、铁磁、气敏、光敏等领域具有广阔的应用前景，特别是作为蓝/紫外光电......
ZnO是一种极具应用潜力的直接宽禁带半导体材料，室温禁带宽度为3.37eV,近年来，ZnO作为宽带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。......
市售单晶硅通常都掺有一定数量的浅施主或浅受主杂质。由于这些杂质在禁带中引入的能级距带边很近(0.045eV),在常温下这些能级上......
