与非型闪存相关论文
3D堆叠技术的引入大幅提升了与非型闪存(NAND flash)存储容量,但由于制程工艺的影响,导致不同层的存储单元会出现差异,而且随着堆......
鉴于K9MDG08USM在存储过程中出现的错“位”现象,提出利用ECC算法对数据进行校验和纠错。由于该款NANDFLASH一页数据出现的错“位”......
简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂......
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