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3D堆叠技术的引入大幅提升了与非型闪存(NAND flash)存储容量,但由于制程工艺的影响,导致不同层的存储单元会出现差异,而且随着堆......
3D NAND Flash的出现,弥补了传统存储器与DRAM访问速度上的巨大差距,提升了计算机系统的整体处理效率。随着立体堆叠技术的成熟,3D......
NAND闪存凭借其读取速度快、低功耗、体积小等优势,已广泛应用于各类电子产品和数据存储中心。但随着多电平存储技术的应用和半导......
通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nmSLC NAND闪存产品的可靠性影响.结果 表明,温度和......
DDF是一种高容量的NAND Flash.以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb 测试方法.受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间......
结合高密度NAND闪存数据的写入与读取机制,以及高低页之间的关联关系和干扰噪声对阈值电压分布的影响特性,本文提出了一种融合相邻......
在NAND闪存中,数据的持久性干扰是NAND闪存信道的主要干扰源之一,会改变阈值电压的分布并降低闪存数据的可靠性。另外,LDPC译码性......
提出了一种浮栅型快闪存储器(flash memory)阈值电压分布读取方法。其读出电路结构主要包括电容反馈互导放大器(capacitor feedbac......
