中子嬗变掺杂相关论文
由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现......
通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂~(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)......
采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品.通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳......
介绍300#反应堆单晶硅中子嬗变掺杂辐照量计算的原理,给出了计算软件类结构及其主亮要类中的实现函数,描述了该程序在辐照计算,原......
采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂（ Ｎ Ｔ Ｄ） 后的磷化铟（ Ｉｎ Ｐ） 材 料进行了分析。 Ｎ Ｔ Ｄ Ｉｎ Ｐ 样品经退火后的低温实验结果表明，其正电子平均寿命......
利用离子注入然后退火的方法制备镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜,再利用中子嬗变方法,对镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜进行精确......
采用活化箔方法对单晶硅辐照热中子注量率进行了测量,将CoAl圆片布置在硅体的不同区域并对其测量值进行了比较分析。结果表明;贴在......
