中子嬗变掺杂相关论文
活化法测量硅单晶中子嬗变掺杂的辐照热中子注量时,由于活化探测器与硅的目标反应截面随中子能量的变化曲线存在一定差异,导致测量......
采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂（NTD）后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐......
一、引言近十几年来,半导体集成电路(IC)已从中小规模跨入了大规模(LSI)时代,并正迅速向超大规模(VLSI)、超超大规模(ULSI)推进。......
对采用中子嬗变掺杂(NTD)技术生产硅单晶作了研究,给出了几种不同气氛下成晶的NTD硅单晶对器件性能影响的试验结果及数据分析.
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用正电子湮灭寿命谱技术研究了ＮＴＤＣＺＳｉ的辐照损伤退火行为．发现辐照后的ＣＺＳｉ中产生了大量空位型缺陷。随着退火温度升高，这些缺陷不断分解，直到１１００℃......
文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果
The article introduces the a......
文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。
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在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法......
为了制造性能优良的面垒型辐射探测器,需要具有高电阻率、杂质分布均匀的优质 N 型硅单晶。中子嬗变掺杂(neutron transmutation ......
用中子嬗变掺杂(NTD)方法制备探测器级N型硅单晶的关键之一是在热处理过程中保持和提高硅单晶的少子寿命。本文介绍用扩散炉退火,......
数学和计算机科学局部凸拓扑线性空问中紧对的重合同驻…………………………张石生 黄毅生(1)一类广义四阶插值样条…………………......
在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电......
在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中子嬗变掺杂(简称NTD)硅已经得到广泛应用.近来,GaAs等化合......
硅的中子嬗变掺杂(NTD)已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面巳被公认是一个好......
硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+......
随着电子工业的迅速发展,对半导体硅材料的质量已从纯度、均匀性和完整性等方面提出了新的更高的要求.摸索高均匀性硅单晶的制备......
本文根据硅单晶生长工艺中近年来的发展动向,系统地描述了中子嬗变掺杂硅(NTD)的原理、历史、工艺、放射性、损伤产生机理、退火处......
本工作用霍尔系数-电阻率测量,研究了不同原始单晶硅和掺杂温度对NTD Si在高温退火过程中电学性能回复的影响。本文给出了几种NTD ......
NTDCZSi 在800～100℃退火时会产生高浓度的与 CZSi 的热施主和新施主不同的一种新型施主态——中照施主.本文研究了 NTDCZSi 的退火......
本文研究了大通量辐照(10~(12)n/cm~2)的NTD CZ在750—1200℃范围内退火的行为。发现在该温度区间内会产生高浓度的“中照施主”,......
中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成......
用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形......
中子嬗变掺杂(NTD)硅单晶具有轴向和径向电阻率均匀、掺杂目标电阻率精确及无微电阻率结构等重要特点,用这种材料制得的高压整流元......
半导体器件用的硅单晶,通常是在直拉或区熔时从外部引入杂质制备的,即在硅单晶体生长时掺入所需杂质.因此,在掺杂时,由于杂质在硅......
本文叙述了FZ硅及CZ硅的中子嬗变法的原理、方法及其在功率元件、敏感元件、集成电路中的应用.介绍了该法的优越性及存在的问题,展......
本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火......
利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应......
利用中子嬗变掺杂(NTD)制备的CZSi(NTDCZSi)中大量存在的辐照缺陷在高温短时间(1100℃,4～8h)退火就可以完成NTDCZSi的IG处理,与CZSi......
GaAs中子嬗变掺杂可得到均匀分布的掺杂剂,对制备大功率高速电子器件有特殊意义。在热中子作用下,GaAs嬗变为稳定的Ge和Se在晶体......
本研究工作采用了合理的NTD硅技术路线,在原生硅单晶制备的选料、高真空提纯等均采用先进的工艺,制备出适合于中子嬗变掺杂要求的......
由成都半导体材料厂、西南反应堆研究设计院和成都整流器厂联合举办的高通量堆中子嬗变掺杂(NTD)技术总结会, 于5月25日至5月28日......
本文主要叙述中子嬗变掺杂(NTD)单晶硅中~(31)P分布测量使用的小型Si(Li)β辐射探测器的制备工艺。
This paper mainly describes......
本文介绍了高通量堆中子嬗变掺杂所用的热中子积分通量计算公式、辐照置的结构、自给能热中子通量监测和温度测量装置,描述了出堆......
对压敏器件用低阻NTD CZ Si(直拉硅)的深辐照工艺进行了研究,主要包括三个方面内容:(1)配合自然单晶生长工艺的改进,对CZ与FZ单晶......
本文叙述了高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器的制备工艺和性能,探测器的灵敏面积为15mm~2,厚2.3mm。在77K温度下用脉冲光反馈前置......
主要介绍探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂技术。技术的关键在于掺杂精度的精确控制。例如从理论计算和实验结果......
采用气相掺杂(GD)与中子嬗变掺杂(NTD)相结合的掺杂方法制备FZ硅单晶,实验及分析结果表明,该方法显著改善了气相掺杂区熔硅单晶的......
介绍了一种直接测量中子嬗变掺杂（NTD）硅中[**]P的绝对浓度的方法——活性测量方法。叙述了这种方法的原理和实验技术。使用该法测量......
由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现......
通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂~(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)......
