互补金属氧化物半导体晶体管相关论文
CMOS晶体管的总电阻由沟道电阻Rch和源漏区寄生电阻RSd组成。在90nm技术节点之后，沟道电阻逐渐减小，而源漏区寄生电阻逐渐增大。到了......
学位
提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采......
期刊
<正> 美国国际商用机器公司(IBM)前些日宣布,首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管,它的速度达到现有硅锗双极晶体......
Traditional digital processing approaches are based on semiconductor transistors,which suffer from high power consumptio......
提出了一种频率可调范围约230MHz的全集成LC压控振荡器（VCO）。该压控振荡器是用6层金属、0.18μm 的标准CMOS工艺制造完成。采用MOS......
介绍了一种改进的LC振荡器设计方法．谐振回路采用非对称电容结构，与常见的振荡器结构相比，经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声......
The stability of the drive current is very important for a laser driver,while it is difficult to maintain the current st......
