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按比例缩小技术是驱动集成电路发展的一项关键技术,在进入微纳米后出现了一系列的挑战.文中分析了按比例缩小在光刻技术、器件的亚......
在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行......
从异质界面处的有效界面态出发 ,研究了 a-Si Nx:H/a-Si:H异质结 a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应 ,发现 a......
随着微电子技术的迅速发展,器件的尺寸越来越接近物理极限,为了延续摩尔定律,人们不断探索新工艺、新方法、新材料、新结构,其中FINFET......
学位