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本文研究了P型保护环对双向可控硅（DDSCR）静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR）和带......
基于传统双向可控硅（DDSCR）提出了两种静电放电（ESD）保护器件,可应对正、负ESD应力从而在2个方向上对电路进行保护。传统的DDSCR通过N-......
半导体制造工艺的飞速发展使器件特征尺寸不断缩小、芯片集成度持续提高，但随之而来的电路和器件的可靠性问题也日益严峻。静电放电......
