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HVPE生长自支撑GaN单晶及其性质研究
GaN是一种非常重要的直接带隙宽禁带半导体材料,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件。但是由于缺乏GaN单晶衬底,目前大部分GaN......
学位
HVPE
GaN单晶
低温缓冲层
自支撑
位错表征
GaN基材料位错表征与抑制方法研究
GaN基材料在光电器件和功率电子器件方面有着十分重要的应用,已经表现出了广阔的应用前景和商业价值。GaN体晶的制备目前十分困难,而......
学位
氮化镓
位错表征
位错抑制
横向外延过生长
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