低温缓冲层相关论文
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
铁电薄膜因具有优秀的铁电、介电、光电、非线性光学特性被普遍应用于各类微电子集成器件中。但是,传统的钙钛矿型铁电薄膜如Pb(Zr......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层.1.2 μm InP(004......
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法，在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量，首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层，然后再......
研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,......
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe／Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30&#......
In GaAs是1-3μm近红外波段重要的探测材料。高In组分的InxGa1-xAs（x>0.53）由于没有同质衬底,在生长中则会出现晶格失配,使外延层质......
GaN是一种非常重要的直接带隙宽禁带半导体材料,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件。但是由于缺乏GaN单晶衬底,目前大部分GaN......
采用分子束外延技术，在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时，利用反射式高能电子衍射仪（RHEED）对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。......
本论文的研究工作是围绕以任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划(973计划)项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的......
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