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近年来随着通讯行业逐渐向高频化方向发展,保障器件在高频下的工作稳定性显得尤为重要。这就对器件的制造材料提出了更高的要求,即......
用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响......
以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类......
铜互连、金属间低k绝缘层(k＜3)和CMP工艺已成为制造高端IC的一个标准工艺.本文介绍了厚度已步入纳米尺度的低k绝缘层的最新研究动态......
