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用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响......
对比a-Si:H/a-SiNx界面附近a-Si:H和体材料a-Si:H的光致发光谱(PL)发现:随着SiNx中x的增大,PL峰值向低能方向移动,相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加,界面晶格不匹......