低开关损耗相关论文
电力电子转换设备的性能与其核心功率开关器件息息相关,传统硅基器件的发展已逼近其材料的物理极限,成为当前限制电力电子转换设备......
学位
为解决传统电压扰动发生器开关损耗高及控制精度低等问题,提出一种基于交错并联H桥的独立式电压扰动发生器的拓扑结构。整流部分采......
提高功率密度和性能,同时降低成本,从来都是功率半导体技术的前进方向。本文指出,在可预见的未来,这个趋势还将继续下去,并且新型......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件......
提出一种适用于油气集输管线阴极防腐保护特种电源的新型功率变换器,对其工作原理做了详细讨论,结合具体应用实例阐述一种简单实用......
提出一种新颖的异步电机低开关损耗的模型预测直接转矩控制方法。通过建立异步电机离散时间预测模型,对不同开关矢量作用下的系统......
针对三相高功率因数整流器的控制要求和实际工程条件，进行了基于低开关损耗的三相PWM整流器研究，系统采用了负载电流前馈的电流滞环......
介绍了利用ALTERA公司的Maxplus II软件及ACEX芯片，基于一种用于三相电压型逆变器的优化SVPWM算法，来实现变频调速系统，该算法采纳Koh......
先进的功率栅驱动技术能够通过调节功率器件的栅极信号实现对功率器件的有效控制,成为提高智能功率集成电路(Smart Power Integrat......
英飞凌科技推出全新650VCoolMOSTMCFDA，扩大其车用功率半导体产品阵容。650VCoolMOSTMCFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电......
基于空间矢量脉冲宽度调制（SVPWM）基本原理,在MATLAB6.5.1/SIMULINK环境下构建SVPWM的仿真模型,通过对SVPWM算法的三相逆变仿真实现,......
分析二极管钳位型三电平变流器主电路原理。在此基础上,结合大功率变流器自身控制的要求与特点,基于不连续空间矢量脉宽调制(SVPWM......
分析二极管钳位型三电平变流器主电路原理。在此基础上,结合大功率变流器自身控制的要求与特点,基于不连续空间矢量脉宽调制(SVPWM......
IGBT作为电力电子领域的常用开关器件,主要应用领域是中高频开关设备,随着工作频率的提升,由于寄生电感的存在,器件的开关损耗变大......
