低导通电阻相关论文
VISIC科技公司是一家氮化镓功率半导体器件的研发公司,近日该公司表示最新研发的650V阻断电压的全开关产品具有导通电阻最低可达15......
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSF......
脉冲功率技术的不断进步以及其应用领域的拓展,使得脉冲功率系统对脉冲功率开关的要求越来越高。碳化硅门极可关断晶闸管(SiC gate......
英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式......
本文介绍了在通信系统中．同步Buck变换器上部功率MOSFET和百部功率MOSFET的工作特点，同时讨论了在设计高效率的同步Buck变换器时．选取......
国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新的MOSFET......
Analog Devices Inc．日前推出了故障检测和保护、低／超平电阻开关系列产品：ADG5412F、ADG5413F、ADG5412BF和ADG5413BF。这种创新型开......
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关——DG2735A、DG2725和DG2599。......
全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier，IR）近日推出具有超低导通电阻（RDS（on））的StrongIRFET功率MO......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件......
Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的直流-直流降压转换器AP3405针对手机、可穿戴设备及同类型电池供电产品,在轻载和重载的情......
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，......
一、前言Si C(碳化硅)是用于功率转换和控制的功率元器件,是半导体界公认的"一种未来的材料"。与传统的Si(硅)元器件相比,Si C(碳......
瑞萨电子株式会社推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品，适用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电......
瑞萨电子近日宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管产品，理想用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产......
<正>Littelfuse与Monolith联手推出两款1200V碳化硅(SiC)n通道增强型MOSFET,这两款产品LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MO......
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车......
<正>这三款新型超级结超级结MOSFET具有如下一些特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器......
利用同步整流技术中一种新的电压驱动方式即栅极电荷保持驱动方式,设计研制了一台输入为48V(36～70V),输出为2.2V,20A,开关频率为200......
1无线基站罗姆(ROHM)针对无线基站推出了多款解决方案,包括一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等,有助于降低功耗。Si CMOSFET......
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出AUIPS7111S高侧智能电源开关。该产品具有超低的导通电阻（RDS（on）），适用于卡车引擎罩......
FPF1005／6是飞兆公司推出的负载管理产品。它内部采用低导通阈值电压-VGs（th）及低导通电阻陆川的P沟道功率MOSFET，并采用导通斜率上升......
为降低绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的导通电阻,同时提高器件击穿电压,提出了一种具有纵向漏极场板的低......
近年来我国集成电路由于国内急剧增加的市场需求和国家政府的大力支持,得到了高速有效的发展,同时也大大的缩短了与国外同行之间的......
学位
<正> 最近一批导通电阻比通常所用的MOS-FET更低、跨导极高的功率MOS-FET引起了音响发烧友的极大关注。但是这种导通电阻小、跨导......
IGBT的全称是Insulate Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极晶体管。它兼具MOSFET和GTR的多项优点，极大的扩展了半导体器件的功率......
由于近年来通信与自动化产业的发展也在不断地拉动对功率器件的需求,并且随着半导体制造技术的不断开发,功率器件的生产成本,性能......
