栅极电荷相关论文
正在半导体产业探讨MOSFET向高性能、小型化方向发展的时候,SGS汤姆逊公司已开发出新型功率MOSFET技术。据称,这种叫做网格覆盖(M......
仙童半导体(Fairchild Semiconductor)用于汽车设备的新型中等电压(60～150V)UitraFET沟道MOSFET技术已顺利通过世界公认的AEC Q101......
近几年来,由于汽车电子系统和高效率DC/DC转换器对大功率MOSFET提出了更多、更高的要求,在低压MOSFET的优化设计方面己经取得了很......
飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 ......
安森美半导体推出几款新型N型通道功率MOSFET,这些24/25 V器件是专门针对服务器和台式电脑中的同步降压转换电路(VRM和VRD)以及网......
Vishay Intertechnology公司日前宣布推出采用小型Power PAK 1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3m......
Vishay Intertechnology宣布正在推出率先采用其创新型PolarPAK封装的两款功率MOSFET,该封装使用双面冷却,可降低热阻、封装电阻及......
随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部......
飞兆半导体公司近日推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。......
日前，Vishay推出一款新型25Vn通道器件——SiR476DP，从而扩展了其GenIIITrenchFET功率M0sFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具......
据《世界电子元器件》2009年8月月刊报道,Diodes公司推出ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美......
Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFET SiE726DF,该器件......
Vishay推出两款20V和两款30V n通道器件,从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术,利用新电荷平......
飞兆半导体公司推出具高效率和出色热性能,并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列,可应对工业、计算和电信......
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET......
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOS-FET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通......
富士通半导体(上海)有限公司近日宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2......
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出100 V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提供基......
全球功率半导体和管理方案领导厂商—国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出100 V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TR......
Diodes公司最新推出的40V和60V双通道、共同封装的增强型MOSFET——DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ,具有低品质因数(FOM)导通电阻和栅......
1 前言 PROM市场追寻扩大的一条道路,正在广泛的领域里使用。FAMOS型以POS、微型计算机等低速的控制器为中心,双极型在微程序、高......
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(TSE∶6723,以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化......
TI推出具有视频扩展功能和软件库的可编程C55X DSP 德州仪器(TI)日前推出的具有21种影像功能的软件库,使设计人员能够运用基于TM3......
MOSFET的单位面积导通电阻(Rsp)和品质因子(FOM)近年来出现大幅下降.在给定的硅材面积下,降低Rsp的关键因素是改善器件通道的宽度.......
由于世界市场的激烈竞争,各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。好些产品甚至每个季......
Vishay推出第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n系列SiHH070N60EF导通电阻比其前代器......
飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达5......
SiHP065N60E是VishaY第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件。N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工......
FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值45pF）和总体栅极电荷（1nC），占位面积仅为1mm&#......
SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超......
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日......
可嵌入心电震发生器 (Implantable Cardioverter Defibrillators-ICD)已通用几年了。ICD在连接到心脏的两个电极之间施加高压脉冲，......
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MO......
日前，威世推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件......
该MOSFET可应用于36～75V输入范围内工作的隔离式DC／DC转换器。其在10V下的导通电阻RDS（on）为51mΩ，电流额定值为25A；面积与0．7mm高的SO-8......
SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积，在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ，在10V栅极驱......
M0SFET的单位面积导通电阻（Rsp）和品质因子（FOM）近年来出现大幅下降。在给定的硅材面积下，降低Rsp的关键因素是改善器件通道的宽度。这......
