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ZnO是一种宽禁带半导体材料,因其来源很广,无毒和化学性质稳定等特点,成为光催化降解领域研究的热点内容。ZnO的光催化性能与材料......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，远高于其它半导体材料。ZnO是目前所有材料中纳......
氧化锌(ZnO)是一种极具潜力的宽禁带半导体材料,其禁带宽度在常温下为3.37eV,激子束缚能相对较大,为60meV。因此,ZnO被视为制备紫......
采用低温水溶液法制备ZnO微米棒;ZnO微米棒与TiO2纳米粉以不同比例混合,制备复合浆料;采用刮涂法把复合浆料涂敷在透明导电玻璃上,......
