偏压温度不稳定性相关论文
SiC MOSFET阈值电压漂移问题是器件可靠性面临的主要挑战，阈值电压测量的准确性对于评估器件在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性极......
碳化硅（SiC）MOSFET器件凭借开关速度快、泄漏源电流低和功率密度高等优点,被运用于新能源汽车和国防军工等高温高压大功率的工作领域......
碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......
随着集成电路特征尺寸的不断缩短，利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然，确保这些新的......
