电子回旋共振微波等离子体相关论文
碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......
SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiCMOS器件的关键技术。针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题，采用电子回旋共振（E......
利用基于双激光束双靶共烧蚀的等离子体辅助脉冲激光沉积的化合物薄膜沉积和原位掺杂方法，制备了稀土Er掺杂和Pr掺杂的GaN薄膜。基......
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α；CH薄膜微器件，研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响，并对纯氧......
碳化硅(SiC)半导体具有优良的物理和电学性能,凭借着禁带宽度大、热导率高、击穿电场高和饱和漂移速率高等优点成为了第三代宽禁带......
SiC半导体具有禁带宽度高、临界击穿电场大、热导率高和电子饱和速度高等优异的物理特性,是功率器件领域中Si半导体材料的首选“继......
SiC半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,在高温、高频、大功率器件领域具有极大应......
分别利用中频磁控溅射（MFS）方法和微波电子回旋共振（ECR-MW）等离子体方法制备了Yb:Er共掺Al2O3薄膜,研究了氧气与氩气比例、样品荧光谱......
