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像元暗电流密度相关论文
锑基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术
InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一......
期刊
INAS
GASB
II类超晶格
128×128
像元暗电流密度
量子效率
InAs/GaSb type- II superlattice
128
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