II类超晶格相关论文
由III-V 族半导体材料InAs/GaSb 或InAs/Ga1-xInxSb 构成的II 类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面......
开展了 InAs基 InAs/Ga(As)Sb II类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在In......
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系......
本文系统地介绍了MBE外延生长InAs/GaSb II类超晶格材料的界面控制方法,主要包括生长中断法、表面迁移增强法、V族元素浸润法和体......
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度（HOT）的优势,符合未来红外探测系统......
InAs／GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势，成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一......
InAs/GaSbII型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料，基于成熟的III-V族化合物材料与器件工艺，使得II型超晶格材料容......
红外光电探测器已经历了半个多世纪的发展,先后出现了机械扫描式单元及线列探测器和凝视型红外焦平面探测器两代探测器技术,并形成......
含锑化合物半导体是当前半导体光电器件和凝聚态物理研究领域的前沿和热点，可用于实现高性能的中红外半导体激光器、探测器和新型晶......
